【人物简介】

　　吴振宇，副教授，硕士生导师。主要研究方向为ULSI集成电路技术及其可靠性研究。

【研究方向】

ULSI集成电路技术及其可靠性研究。

【研究成果】

　　发明专利 　　吴振宇, 杨银堂, 汪家友, 李跃进. 等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法与膜层结构. 专利号：ZL 200710018519.2 　　吴振宇, 杨银堂, 周端, 余书乐, 汪家友, 付俊兴. 一种磁铁磁场装置. 专利号：ZL 200720032543.7

【科研项目】

　　超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型. 国家自然科学青年基金项目(No.60806034) 　　铜/低k互连空位扩散机制与应力诱生空洞产生机理研究. 基本科研业务费 　　超深亚微米铜/低k互连应力迁移失效行为分析与寿命模型. 西安-应用材料创新基金项目(No.XA-AM-2008) 　　低k-Cu互连界面性能研究. 西安-应用材料创新基金项目(No.XA-AM-2005)

【论文著作】

　　吴振宇, 杨银堂, 柴常春, 刘莉, 彭杰, 魏经天. 基于微观结构的Cu互连电迁移失效研究. 物理学报, 2012,61(1):018501 　　Zhen-Yu Wu, Yin-Tang Yang, Chang-Chun Chai , Yue-Jin Lia, Jia-You Wang, Bin Li, Jing Liu. Structure-dependent behavior of stress-induced voiding in Cu interconnects. Thin Solid Films. 2010, 518(14): 3778-3781 (SCI: 000278064600033) 　　吴振宇, 杨银堂, 汪家友. 等离子体天线表面电流分布与辐射特性研究. 物理学报. 2010,59(3):1890-1894(SCI: 000276004500072) 　　吴振宇, 杨银堂, 柴常春, 李跃进, 汪家友, 刘静. Cu 互连应力迁移温度特性研究. 物理学报, 2009,58(4):2625-2630 (SCI:000265324700077) 　　Wu ZhenYu, Yang YinTang, Chai ChangChun, Li YueJin, Wang JiaYou, Liu Jing, Liu Bin. Temperature-dependent stress-induced voiding in dual-damascene Cu interconnects. Microelectronics Reliability, 2008,48:578–583(SCI:000256454300012) 　　Zhenyu Wu, Yintang Yang, Jiayou Wang. The effect of annealing on electrical properties of fluorinated amorphous carbon films. Diamond & Related Materials, 2008,17:118–122(SCI:000253520000004) 　　吴振宇, 杨银堂, 柴常春, 李跃进, 汪家友, 刘彬. 通孔尺寸对铜互连应力迁移失效的影响. 物理学报, 2008, 57(6):3730-3734(SCI:000256874600070) 　　Wu Zhenyu, Yang Yintang, Wang Jiayou. Electrical properties of plasma deposited low-dielectric-constant fluorinated amorphous carbon films. Plasma Science & Technology, 2006, 8(6):724-726 (SCI:000243594300022) 　　吴振宇, 杨银堂, 汪家友. 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究. 物理学报, 2006, 55(5):2572-2577(SCI:000237522000079)