【人物简介】

　　吕红亮，女，教授，博士生导师，IEEE Member，中国电子学会高级会员。2000年毕业于西安电子科技大学微电子技术专业，获学士学位。2003年获工学硕士学位，2001年攻读微电子与固体电子学博士学位，2004年获得西安电子科技大学优秀博士学位论文基金资助。2003年转为在职博士任助教，2004年评为讲师， 2005年破格晋升为副教授，2010年晋升为教授。2010年赴比利时学习数模混合集成电路设计方法学。

【研究方向】

1、 超高速半导体集成电路。 2、 宽带隙半导体器件与电路。 3、 VLSI半导体器件模拟与仿真。

【研究成果】

【科研项目】

　　(1) 新型碳化硅MESFET特性研究，国家自然科学基金项目，项目负责人 　　(2) 大规模集成电路P/G网的设计验证，陕西省自然科学基金，项目负责人 　　(3) 新型碳化硅整流器的研究，应用材料创新基金，项目负责人 　　(4) 碳化硅功率器件关键技术的研究，教育部宽禁带国家重点实验室基金，项目负责人 　　(5) 超高速、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究，973国家重点基础研究发展计划。 　　(6) 另作为主要成员参与多项国防973和预研项目

【论文著作】

　　[1] Hongliang Lv,Yimen Zhang,Yuming Zhang, Lin-an Yang, “Analytic model of I-V Characteristics of 4H-SiC MESFETs based on multiparameter mobility model”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.51, No.7, 2004. pp.1065-1068 (EI No.: 04388356686，SCI No.: 000222279200004) 　　[2] Hongliang Lv, Yimen Zhang, Yuming Zhang, “Physical based model for trapping and self-heating effects in 4H-SiC MESFETs”, Applied Physics A: Materials Science and Processing, Vol. 91, n 2, May, 2008, pp. 287～290. (EI: 081311173999, SCI: 000254086700015) 　　[3] Hongliang Lv, Yimen Zhang, Yuming Zhang, “ A comprehensive model of frequency dispersion in 4H-SiC MESFET”, Solid-State Electronics, 2009, Vol. 53, No.3, pp285-291, (SCI: 00264731300007，EI: 20091011945754) 　　[4] Hongliang Lv, Yimen Zhang, Yuming Zhang, “Electrothermal simulation of the self-heating effects in 4H-SiC MESFETs”, Chinese Physics，2008, Vol. 17, No.4, pp1410-1414.(SCI：000255096900043，EI：081811226789) 　　[5] Hongliang Lv, Yimen Zhang, Yuming Zhang, “Drain avalanche breakdown and gate instabilities in 4H-SiC MESFET’s”, Diamond and related materials, Vol. 13, No.9, pp. 1587-1591. 2004年9月 (EI Number:EIP04288262211, SCI No.:000222871000001)