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| 马晓华 | |||
| 性 别: | 男 | 职 称: | 教育,高等学校教师,教授 |
| 籍 贯: | 陕西省 西安市 | 现 居 地: | 陕西省 汉中市 |
| 毕业院校: | 西安电子科技大学 | 专 业: | 固态电子学 |
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| 出生年月: | 1973-03 | 工作单位: | 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院 |
| 邮 箱: | Xhma@xidian.edu.cn | 联系电话: | |
| 学 历: | 博士 | ||
【人物简介】
马晓华,教授、博士生导师,1973年3月出生,陕西勉县人。1996年毕业于西安电子科技大学技术物理学院微电子专业,1996年-2001年在航天067基地16研究工作,2007年博士毕业于西安电子科技大学微电子学院微电子学与固态电子学专业,目前主要在宽带隙半导体国防重点实验室负责器件设计、工艺以及超深亚微米CMOS器件可靠性方面的研究工作。
【研究方向】
超深亚微米CMOS器件可靠性研究 宽带隙半导体器件、工艺及其可靠性研究。
【研究成果】
研制了GaN高工作电压高效率微波功率器件,性能在国内处于领先地位。先后获得教育部科技进步一等奖1项、陕西省科技进步一等奖1项,获得国家发明专利17项。
【科研项目】
主要承担过国防预先研究项目、国家科技支撑项目、国家863项目以及国家重大专项的子专题。
【论文著作】
1. Ma Xiaohua, Hao Yue, Sun Baogang et al, Fabrication and Characterization of Groove-gate MOSFETs Based on a Self-aligned CMOS Process, Chinese Physics. Vol.15,No.1,pp195-198,2006 (SCI: 000234907400031,EI: 06089712762) 2. Ma Xiao-Hua, Hao Yue, Wang Jian-Ping et al, New aspects of HCI test for ultra-short channel nMOSFET devices, Chinese Physics. Vol.15,No.11,2006.(SCI: 000242215500047,EI: 070310365442) 3. [ 马晓华,郝跃,陈海峰,电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性. 物理学报,Vol.55, No.11,pp6118-6122,2006(SCI: 000241880000091,EI: 070310362694) 4. 陈海峰,马晓华,郝跃,曹艳荣,黄建方,王文博,李康. 90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性,半导体学报,2005,VOL.26. No.12.(EI:06089715484)。 5. Gao Haixia, Ma Xiaohua, Yang Yintang,Accurate Interconnection Length and Routing Channel Width Estimstes for FPGAs,半导体学报,2006年第7期, 6. 张晓菊,马晓华,任红霞,0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性,半导体学报,2005年第3期, 7. 张进城,马晓华,郝跃,范隆,李培咸,纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型, 半导体学报,第24卷第10期2003 8. Cao Yan-Rong, Ma Xiao-Hua, Hao Yue, Study on the recovery of NBTI of ultra-deep sub-micro MOSFETs, Chinese Physics, Vol.16, No.4,2007,SCI:EI:072410654213 9. 曹艳荣,马晓华,郝跃,新型槽栅MOSFETs特性研究,半导体学报,第27卷第11期,2006,EI:070110339616 10. Cao Yanrong, Ma Xiaohua, Hao Yue, Models and Related Mechanisms of NBTI Degradiation of 90nm PMOSFETs,半导体学报,第28卷第5期,EI:072710692111