【人物简介】

　　段宝兴,陕西大荔人，博士，教授，博士生导师。2000年、2004年在哈尔滨理工大学材料物理与化学专业获学士和硕士学位;2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。2007年至2009年在西安电子科技大学做博士后研究，主要与杨银堂教授合作从事宽带隙半导体SiC功率器件设计，期间在台湾国立大学进行学术交流八个月，主要负责应变硅应变量表征技术研究。于2010年1月至2011年1月在香港科技大学作访问研究，从事宽带隙半导体GaN功率器件设计、仿真和工艺研究。

【研究方向】

(1) 硅基功率器件与集成 (2) 宽带隙半导体功率器件 (3) 45nm后CMOS关键技术研究

【研究成果】

　　首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计;与合作者提出的SOI 高压器件介质场增强ENDILF技术成功解决了高压器件纵向耐压受限问题;最近首次在国际上提出了完全3-D RESURF概念并已被国际同行认可。

【科研项目】

【论文著作】

　　(1) Baoxing Duan, Yintang Yang, Bo Zhang. High Voltage REBULF LDMOS with N+-Buried la[ant]yer《Solid-State Electronics》,VOL.54; p: 685-688, 2010. 　　(2) 段宝兴, 杨银堂. 利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数.《中国科学: 信息科学》. 2010. 40: 1033-1038. 　　(3) 段宝兴, 杨银堂. CMOS双层可变功函数金属栅技术.《功能材料与器件学报》. 2010. 16 (2): 158-162. 　　(4) 段宝兴, 杨银堂. 应变硅的应变量表征技术.《功能材料与器件学报》. 2010. 16 (4): 323-328. 　　(5) 杨银堂 耿振海 段宝兴 贾护军 余涔 任丽丽. 具有部分超结的新型SiC SBD特性分析. 《物理学报》. 2010, 59(1): 566-570.