【人物简介】

　　汤晓燕，女，教授，硕士生导师，IEEE Member，1997年获得陕西师范大学物理专业学士学位，2002年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业硕士学位，2008年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。2002年晋职讲师，2005年晋升副教授，2012年晋升教授。从事宽禁带半导体材料SiC器件的模拟、仿真和新器件研制方面的研究工作。

【研究方向】

1、宽禁带半导体材料 2、SiC大功率器件设计及应用 3、SiC新型器件模型和仿真

【研究成果】

【科研项目】

　　1、国家自然科学青年基金项目“新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究” ，项目负责人 　　2、国家自然科学面上基金项目“新型高效4H-SiC MOSFET的研究” ，项目负责人 　　3、中央高校基本科研业务费项目““4H-SiC浮动结JBS二极管关键技术研究” ，项目负责人 　　4、作为主要成员参与重大专项、教育部支撑计划项目、国家自然基金重点项目等。

【论文著作】

　　[1]. Tang Xiao-Yan, Song Qing-Wen, Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men，Investigation of 4H-SiC MIS Structure with Al2O3/SiO2 Stacking Dielectric Chinese physics B Vol21 Number 8 2012.8 　　[2]. Tang Xiao-yan , Zhang Yu-ming，Zhang Yi-men “Study of 4H-SiC Epitaxial n-Channel MOSFET” Chinese physics B Vol19 Number 4 April 2010 047204-1 SCI: 000276936200060, EI: 20101812905045 　　[3]. Xiaoyan Tang, Yuming Zhang, Zhiyun Li, Yimen Zhang“Thickness determination of 4H-SiC Epitaxial Films by Infrared Reflectance ”IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, November 25-27,，2009 EI: 20101212789831 　　[4]. 汤晓燕，张义门，张玉明“SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压”物理学报 Vol.58 NO.1,2009 pp494-497 SCI：000262834300077 　　[5]. Tang Xiao-yan ,Zhang Yi-men,Zhang Yu-ming, Gao Jin-xia “ 6H-SiC Schottky Barrier Source/Drain NMOSFETs with Field-Induced Source/Drain Extension” Chinese Physics 2005 14(3): 583-585 SCI检索: 000227798000028 EI：05379354179