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张进成 | |||
性 别: | 男 | 职 称: | 教育,高等学校教师,教授 |
籍 贯: | 陕西省 西安市 | 现 居 地: | |
毕业院校: | 西安电子科技大学 | 专 业: | 微电子学 |
查看更多个人信息 | |||
出生年月: | 1976-07 | 工作单位: | 西安电子科技大学微电子学院 |
邮 箱: | 联系电话: | ||
学 历: | 博士 |
【人物简介】
张进成,男,1976年生,陕西省人。现任西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师,宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,陕西省大功率半导体照明工程技术研究中心副主任,2009年国家技术发明二等奖获得者(排名第二),IEEE会员,中国电子学会空间电子学分会第六届委员。先后入选2010年陕西省“新世纪三五人才”计划,被授予陕西省青年科技新星(2010年)、教育部新世纪优秀人才(2007年)、陕西省高等学校优秀青年教师(2005年)、校十佳青年教师(2005年)等荣誉称号。
【研究方向】
(1)宽禁带半导体技术 (2)低维半导体材料与器件 (3)半导体光电材料与器件
【研究成果】
获得授权国家发明专利28件。
【科研项目】
先后主持国家科技重大专项、国家自然科学基金项目(重大项目课题 1 项、重点项目1项)、国家安全重大基础研究/国防 973计划(课题1 项、子专题 2项)、国防科技预先研究项目、国防技术预研基金重点和一般项目、各类科技人才计划项目等三十余项。
【论文著作】
1、 Meng, Fanna, *Zhang, Jincheng, Zhou, Hao, Ma, Juncai, Xue, Junshuai, Dang, Lisha, Zhang, Linxia, Lu,Ming, Ai, Shan, Li, Xiaogang, Hao, Yue, Transport characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures with high electron mobility, Journal of Applied Physics, 112(2), 2012, EI,SCI 2、 *Zhang Jin-Cheng, Zheng Peng-Tian, Zhang Juan, Xu Zhi-Hao, Hao Yue, Degradation mechanism of two-dimensional electron gas density in high Al-content AlGaN/GaN heterostructures, Chinese Physics B, 18(7), pp 2998-3001, 2009, SCI 3、 Liu Z. Y., Xu S. R., *Zhang J. C., Xue J. S., Xue X. Y., Niu M. T., Hao Y., Effect of defects on strain state in nonpolar a-plane GaN, Journal of Crystal Growth, 343(1), 2012, EI,SCI 4、 Juncai Ma, *Jincheng Zhang, Junshuai Xue, Zhiyu Lin, Ziyang Liu, Xiaoyong Xue, Xiaohua Ma, Yue Hao, Characteristics of AlGaN/GaN/AlGaN double heterojunction HEMTs with an improved breakdown voltage, Journal of Semiconductors, 33(1), p 014002 (5 pp.), 2012, EI (被Semiconductor Today重点报道) 5、 Lin Zhi-Yu, *Zhang Jin-Cheng, Zhou Hao, Li Xiao-Gang, Meng Fan-Na, Zhang Lin-Xia, Ai Shan, Xu Sheng-Rui, Zhao Yi, Hao Yue, Influence of double AlN buffer layers on the qualities of GaN films prepared by metal-organic chemical vapour deposition, Chinese Physics B, 21(12), 2012/12, EI,SCI