【人物简介】

　　杨林安，男，1965年11月出生，籍贯河北省。1986年和1989获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位;2003年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。 　　1989至2005年为空军工程大学电讯工程学院教师;2006年至今为西安电子科技大学微电子学院教授;2004至2005年从事博士后研究工作;2007年为日本德岛大学工学部客座研究员。

【研究方向】

半导体太赫兹(THz)关键技术与机理、SiC和GaN电子器件机理与建模、工艺设计和制造。

【研究成果】

【科研项目】

　　国家自然科学基金项目：氮化物半导体THz电子器件关键技术研究(61274092)，项目负责人 　　国家自然科学基金项目：一种应用于AlGaN/GaN微波功率器件的场板栅结构理论模型和新工艺研究(61076079)，项目负责人 　　国家自然科学基金项目：新型AlGaN/GaN太赫兹耿氏二极管研究(60676048)，项目负责人 　　高等学校博士点专项基金项目(博导类)：氮化镓基太赫兹负阻器件结构及关键工艺研究(20090203110012)，项目负责人

【论文著作】

　　[1] Lin’an Yang, Shuang Long, Xin Guo, and Yue Hao, A comparative investigation on sub-micrometre InN and GaN Gunn diodes working at terahertz frequency, Journal of Applied Physics, 111(10), 104514, 2012; 　　[2] Liang Li, Lin-An Yang, Jin-Cheng Zhang, Jun-Shuai Xue, Sheng-Rui Xu, Ling Lv, Yue Hao, and Mu-Tong Niu, Threading dislocation reduction in transit region of GaN terahertz Gunn diodes. Applied Physics Letters,100(07), 072104, 2012; 　　[3] Liang Li, Lin-An Yang, Jin-Cheng Zhang, Lin-Xia Zhang, Li-Sha Dang, Qian-Wei Kuang, Yue Hao, Point defect determination by eliminating frequency dispersion in C–V measurement for AlGaN/GaN heterostructure. Solid-State Electronics,68, 98-102, 2012;