赵武
赵武
性      别: 职      称: 副教授
籍      贯: 现 居 地:
毕业院校: 专      业:
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出生年月: 工作单位: 西北大学
邮       箱: 联系电话:
学       历: 其他

【人物简介】

 赵武,副教授/硕士生导师 陕西省电子学会理事,陕西省纳米学会会员,陕西省光学量子光子电子学会会 教学情况 主讲:本科生《计算机基础及C语言程序设计》、《半导体集成电路设计基础》、《电子新技术展望》; 研究生《SOC技术设计》、《专用集成电路设计》; 同时,承担了本科生的毕业设计、毕业实习、进修教师、硕士研究生论文的指导、国家大学生创新试验计划项目和研究生创新项目的协助指导工作等。

【研究方向】

获陕西省教学成果二等奖 1项(第四完成人)同时为西北大学教学一等奖 获西北大学2008-2009年度“优秀教师”称号

【研究成果】

【科研项目】

2004/7-2006/12,SiC薄膜气敏器件研究,陕西省教育厅,主持人(04JK256) 2004.6-2006.12,大面积碳化硅薄膜异质生长及其光学特性研究,陕西省科技厅,主持人(2004F17) 2008.7-2010.6,HFCVD法制备SiCN薄膜及其光学特性研究,陕西省教育厅,主持人(08JK450) 2008.6-2010.12,HFCVD法制备SiC1-XNX薄膜及其光学特性的研究,陕西省科技厅,主持人(SJ08ZT04-8) 2010.1-2012.12,3d过渡金属掺杂ZnO磁性纳米线制备及磁光电性质研究,国家自然科学基金,第三参与人(60976069) 2005.1-2007.12,CMOS Rail-to-Rail运算放大器设计,教育部 “春晖计划”,主要负责人(Z2005-1-61001) 2010.01 -2011.12,基于薄膜晶体管应用的SrTiO3透明半导体薄膜制备与性能研究,陕西省科技厅,第二参与人 (2009JM8013) 2007.7-2009.6,大面积ZnO@SnO2包覆透明导电薄膜的制备工艺及其性能研究,西安应用材料创新基金,第二参与人(XA-AM-2007-12)

【论文著作】

[1] Epitaxial Monocrystalline SiC Films Grown on Si by HFCVD at 780℃ ,Materials Science and Engineering,B75 (2000) [2] Epitaxial growth of SiC films at low temperature and its photoluminescence, 2006 8th International Conference on Solide-State and Integrated Circuit Technology Proceedings (ICSIT-2006) , 2006 [3] Effect of N concentration in SiC films on photosensitive characteristics. ACTA PHOTONICA SINICA,2007 [4]Preparation of nanometer silicon carbide powders by Sol-Gel processing. Nanoelectronics Conference 2008 (NEC2008). [5] Design of A Rail-to-Rail Constant-gm CMOS Operational Amplifier. 2009 WRI World Congress on Computer Science and Information Engineering. 2009

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