【人物简介】

王晓亮，男，陕西渭南人，1963年7月生，博士，研究员，博士生导师；西安交通大学腾飞教授；西安交通大学-中科院半导体所信息功能材料与器件联合实验室副主任；“电子物理与器件教育部重点实验室”学术委员会委员；中科院半导体所所长助理，半导体能源研究发展中心副主任，中科院半导体研究所第八届学术委员会委员；中科院研究生院教授；中国电子学会理事；中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长；中国电子科技集团公司“砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室”学术委员会委员。

【研究方向】

宽禁带半导体信息功能材料与器件；Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体物理与器件

【研究成果】

长期从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电子、微电子材料和器件研究工作，近年来主要从事Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备研究，及材料生长关键设备MOCVD的研究。 在“八五”期间，作为主要研究骨干参加过国家“八五”期间攻关任务（HEMT用IC材料）、“八六三”任务（AlGaInP可见光激光器材料）的研究工作，研究成功了达国际先进水平的InGaAs/InP应变量子阱结构材料，并在国内用GSMBE方法首次研制成功红光AlGaInP/GaAs应变量子阱超辐射发光二极管。多年来还从事过低维半导体材料生长及性质研究、MOCVD生长GaAs/AlGaAs光电阴极、GaAs/AlGaAs HBT等研究工作。具有博士后研究经历，并曾应邀赴香港大学和香港科技大学开展合作研究、赴美国进行研发考察。在“九·五”期间作为骨干研究人员之一，率先研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料，并用所研制的材料合作研制出我国第一只氮化物高温HEMT器件。“十·五”、“十一·五”和“十二·五”期间，作为课题负责人，主持多项国家项目，包括自然科学基金重点、重大项目课题，国家科技重大专项课题，863重大项目课题、中科院知识创新工程重要方向项目以及973子课题，所主持的中科院知识创新工程重要方向项目“高性能氮化镓外延材料”项目已通过中科院组织的专家鉴定，鉴定结果认为氮化镓外延材料为国内领先、达到国际先进水平，部分指标为国际领先水平。近五年作为课题负责人年均科研经费650万元。 2004年7月合作研制成功我国第一只国产X波段GaN基微波功率器件；2008年，研制出了具有国内领先水平和国际先进水平的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT结构材料，并用所研制的材料，合作研制出了国内第一块GaN功率MMIC；2006年获中科院预研先进个人荣誉称号；2009年荣获工信部科学技术进步一等奖；从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文一百余篇，获得授权国家发明专利16项，已培养并取得博士学位的研究生18名。

【科研项目】

1.　国家科技重大专项3项（2008-2013） 2.“973”项目：InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用（2012-2016） 3.“973”项目：毫米波GaN功率器件和电路研究（2010-2014） 4.高技术项目：大尺寸GaN基材料外延生长研究（2011-2015） 5.中国科学院知识创新工程重要方向项目：3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制（2011-2013） 6.国家自然科学基金重大项目：GaN基毫米波功率器件与材料的新结构研究（2009-2012）

【论文著作】

1.　　　　JieqinDing,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,HongChen.A2nmlowtemperatureGaNspacertoimprovethetransportpropertiesoftwo-dimensionalelectrongasinAlGaN/InAlN/AlN/GaNheterostructures.AppliedPhysicsLetters,101,182102(2012)2.　　　　YangBi,XiaoliangWang,CuimeiWang,JianpingLi,HongxinLiu,HongChen,HonglingXiao,ChunFengandLijuanJiang.TheinfluenceofpressureonthegrowthofInAlN/AlN/GaNheterostructure.Eur.Phys.J.Appl.Phys.57,30103(2012)3.　　　　LijuanJiang,XiaoliangWang,HonglingXiao,ZhanguoWang,CuibaiYang,MinglanZhang.PropertiesinvestigationofGaNfilmsimplantedbySmionsunderdifferentimplantationandannealingconditions.AppliedPhysicsA,104,429-432(2011)4.　　　　QingwenDeng,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,HaiboYin,HongChen,QifengHou,DefengLin,JinminLi,ZhanguoWangandXunHou.AninvestigationonInxGa1?xN/GaNmultiplequantumwellsolarcells.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,44,265103(2011).5.　　　　QingwenDeng,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,HaiboYin,HongChen,DefengLin,LijuanJiang,ChunFeng,JinminLi,ZhanguoWang,XunHou.ComparisonofasgrownandannealedGaN/InGaN:MgSamples.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics44,345101(2011)6.　　　　XuPan,XiaoliangWang,MengWei,CuibaiYang,HonglingXiao,CuimeiWang.GrowthofGaNfilmonSi(111)substratebyusingAlNsandwichstructureasbuffer.JournalofCrystalGrowth,318,464(2011).7.　　　　XuPan,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,ChunFeng,LijuanJiang,HaiboYin,HongChen.SurfacecharacterizationofAlGaNgrownonSi(111)substrates.JournalofCrystalGrowth,311,29(2011)8.　　　　QifengHou,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,CuibaiYang,HaiboYin,QingwenDeng,JinminLi,ZhanguoWang,andXunHou.Influenceofelectricfieldonpersistentphotoconductivityinunintentionallydopedn-typeGaN.AppliedPhysicsLetters,98,10,102104(2011)9.　　　　XiaoliangWang,TangshengChen,HonglingXiao,JianTang,JunxueRan,MinglanZhang,ChunFeng,QifengHou,LijuanJiang,JinminLi,ZhanguoWang.AnInternally-matchedGaNHEMTsDevicewith45.2Wat8GHzforXbandapplication.SolidStateElectronics,53,332-335(2009)10.　　WangXiaoliang,ChenTangsheng,XiaoHongling,WangCuimei,HuGuoxin,LuoWweijun,TangJian,GuoLunchun,LiJinmin.High-performance2mmgatewidthGaNHEMTson6H-SiCwithoutputpowerof22.4W@8GHz.Solid-StateElectronics,52(6),926-929(2008)